天津大學(xué)がこのほど、同大學(xué)天津ナノ粒子?ナノシステム國家研究センターの馬雷教授の研究チームによる研究成果「炭化ケイ素に成長した超高移動(dòng)度半導(dǎo)體エピタキシャルグラフェン」が、グラフェン電子學(xué)の発展を長期的に妨げてきた重要な技術(shù)的難題の解決に成功し、グラフェンにバンドギャップを形成したと明らかにした。このブレイクスルーはグラフェン半導(dǎo)體製造分野の扉を開く重要な節(jié)目とされている。研究成果は「ネイチャー」誌にオンライン掲載された。人民日報(bào)が伝えた。

馬氏は、「グラフェンは初めて発見された室溫で安定的に存在する二次元材料で、その獨(dú)特なディラック?コーン構(gòu)造が『ゼロバンドギャップ』という特徴をもたらしている。この特徴こそがグラフェン研究者を數(shù)十年悩ませてきた難題だ。いかにグラフェンにバンドギャップを形成するかがグラフェン電子學(xué)の扉を開く重要なカギとなる。研究チームはエピタキシャルグラフェンの成長プロセスの正確な調(diào)整?制御を通して、グラフェンにおけるバンドギャップの形成に成功し、新型の安定した半導(dǎo)體グラフェンを創(chuàng)出した」と説明した。

この畫期的な研究では、バンドギャップを備える半導(dǎo)體グラフェンは、高性能電子部品に全く新しい材料の選択肢をもたらした。この半導(dǎo)體の発展は従來のシリコン系の高性能電子部品を上回る新たな道を切り開いただけでなく、半導(dǎo)體業(yè)界全體にも新たな原動(dòng)力を注入した。（編集YF）

「人民網(wǎng)日本語版」2024年1月10日