中国の��1世代�陵枦澱咾郎�、欧�櫃�反ダンピング措��に�Zしんでいるが、深センで開��中の��14�v中国国際ハイテク成果交易会（高交会）で��らかになったところによると、�H�T晶シリコンに代わり銅（Copper）、インジウム（Indium）、ガリウム（Gallium）、セレン（Selenium）を原料とした中国の��2世代CIGS薄膜�陵枦澱咾�このほど、コア�\術で�_要なブレークスルーを果たした。中国科学院深セン先進�\術研�|院は��港中文�j(lu┛)学と提携し、高効率・低コストを��徴とする同�陵枦澱咾寮��◆Χ\術・����を�O主開発することに成功した。科�\日報が伝えた。

　同�陵枦澱咾���港中文�j(lu┛)学教�b、中国科学院深セン先進�\術研�|院�陵曠┘優襯�ー実�x室主任の肖旭東��率いる研�|チームが開発したもので、変換効率は18.7％に達しており、世�cトップクラスの仲間入りを果たした。

　CIGS薄膜�陵枦澱咾����]コストが��来のシリコン�陵枦澱咾茲蠅眥磴い錣韻�、�陵杆�を吸収する半導��薄膜が低コストの銅�U材料で作られているため。厚さは2ミクロン以下と、シリコン構�]の100分の1しかない。ガラスをベースとした薄膜モジュールはシリコンウエハーのように��雑な�攵��\術が不要で、�攵�ラインを電池と分ける��要もなく、1本の�攵�ラインですむ。�攵�にかかるエネルギー消�Jも少なく、コスト削��(f┫)と同時にエネルギー�v収期間を�]縮できる��（��集SN）

　「人�c��日本語版」2012�Q11月23日