世界の半導體電荷蓄積技術において、「書き込み速度」と「不揮発性」という2つの性能は、兼ね備えることがなかなか難しい。復旦大學マイクロ電子學院が発表した情報によると、同校教授の張衛(wèi)氏と周鵬氏が率いるチームはこのほど、畫期的な二次元半導體準不揮発性メモリを作り上げ、第3のメモリ技術を開発した?！竷炔骏幞猊昙墶工违签`タ読み込み?書き込み速度を実現し、さらに需要に応じてメモリのデータ保存期間を設定できる?？萍既請螭瑏护à俊?/p>

張氏によると、半導體電荷蓄積技術には現在、主に次の2種類があるとしている。1種目はコンピュータの內部メモリなどの揮発性メモリで、データ書き込みには數ナノ秒しか必要ないが、電源を切ると直ちに失われる。2種目はUSBメモリなどの不揮発性メモリで、データ書き込みには數ナノ秒から數十ナノ秒かかるが、外部からのエネルギーを必要とすることなく10年間ほどは保存できる。

今回開発された第3の電荷蓄積技術の書き込み速度は現在のUSBメモリの1萬倍で、データ上書きに必要な時間は內部メモリ技術の156倍。さらにデータの保存期間を10秒から10年の間で設定できるという畫期的な性能を備えている。この新性能により、高速內部メモリのデータ保存に伴うエネルギー消費量を大幅に削減すると同時に、データに有効期限を設定し自然消滅させることができる。特殊な応用シーンにおける機密と伝送の矛盾を解消する。（編集YF）

「人民網日本語版」2018年4月12日